Транзистор тестер в порядочном корпусе.

3.6 Измерение транзисторов N-P-N и P-N-P
Для нормального измерения три вывода транзистора подключаются в любой последователь-
ности к испытательным входам Тестера. После нажатия на кнопку TEST Тестер показывает
в первой строке тип (N-P-N или P-N-P), возможный встроенный защитный диод коллектор-
эмиттер и последовательность выводов. Диодный символ показывается в правильной поляр-
ности. Вторая строка показывает коэффициент усиления  или ℎ и ток, при котором при
котором этот коэффициент определен. Если используется схема измерения с общим эмиттером
для определения ℎ, то тестер отобразит ток коллектора . Если используется общий коллек-
тор для определения коэффициента усиления, то будет показан ток эмиттера . Следующие
параметры выводятся последовательно друг за другом во второй строке для двухстрочных
дисплеев. Для дисплеев с большим количеством сток следующие параметры выводятся до за-
полнения последней строки. Если для вывода всей информации строк дисплея не достаточно,
то последующая информация выводится в последней строке чрез некоторое время или, рань-
ше, по нажатию кнопки TEST. Если имеется больше параметров для отображения чем строк
в дисплее, то символ + отображается в последней строке. Следующим отображается пороговое
напряжение база-эмиттер. Если возможно измерить обратный ток коллектора при разомкну-
той базе 0 и обратный ток коллектора при замкнутых выводах базы и эмиттера  то эти
значения также будут отображены. Если защитный диод установлен, падение напряжения 
будет показано, как последний параметр. В схеме с общим эмиттером у Тестера есть только
два варианта, чтобы задать базовый ток:
1. Резистор на 680 
 ограничивает базовый ток приблизительно величиной 6, 1 . Этот ток
слишком велик для маломощных транзисторов с большим значением , потому что база
насыщается. Поскольку ток коллектора также измеряется через резистор 680 
 то ток
коллектора не может достигнуть величины, определяемой большим значением . Версия
программного обеспечения от Markus F. измеряет пороговое напряжение база-эмиттер по
этой схеме (Uf=...).
2. Резистор на 470 
 ограничивает базовый ток величиной 9, 2 . Версия программного
обеспечения от Markus F. вычисляет  по этой схеме (hFE =...).
47
Программное обеспечение Тестера измеряет величину  дополнительно по схеме с общим
коллектором. На дисплей выводится наибольшее значение из обоих методов измерений. Схема с
общим коллектором имеет преимущество, т. к. базовый ток уменьшен отрицательной обратной
связью, соответствующей величине . В большинстве случаев, более точный результат измере-
ния, может быть достигнут этим методом для мощных транзисторов с резистором на 680 
 и
для транзисторов Дарлингтона с резистором на 470 
. Пороговое напряжение база-эмиттер
Uf теперь измеряется при том же самом токе, что и для определения величины . Однако,
если Вы хотите узнать пороговое напряжение база-эмиттер с током измерения приблизительно
6 , то Вы должны отключить коллектор и сделать новое измерение. При этом подключении
на дисплей выводится пороговое напряжение база-эмиттер при токе 6 . Так же на дисплей
выводится ёмкость в обратном включении перехода (диода). Конечно, Вы таким же образом
можете проанализировать переход (диод) база-коллектор.
В германиевых транзисторах измеряется обратный ток коллектора при разомкнутой базе
0 и обратный ток коллектора при короткозамкнутых выводах базы и эмиттера . Об-
ратный ток коллектора отображается во второй строке индикатора перед отображением  в
течение 5 секунд или до следующего нажатия на кнопку TEST (только для ATmega328).
При охлаждении германиевого транзистора обратный ток может уменьшиться.
3.7 Измерение JFET и транзисторов D-MOS
Поскольку структура типа JFET симметрична, исток и сток этого транзистора не могут быть
определены. Обычно один из параметров этого транзистора - ток транзистора с затвором, на
том же самом уровне напряжения, как и исток (затвор соединен с истоком). Этот ток часто
выше, чем ток, который может быть достигнут в схеме измерения с резистором на 680 
. По
этой причине резистор на 680 
 подключен к истоку. Таким образом, с ростом тока истока на
затворе получают отрицательное напряжение смещения. Тестер показывает ток истока в этой
схеме и, дополнительно, напряжение смещения затвора. Таким образом, могут быть выделены
различные модели. Транзисторы D-MOS (обеднённый) измеряются тем же методом.
3.8 Измерение E-MOS транзисторов
Вы должны знать, что для обогащенных MOS транзисторов (P-E-MOS или N-E-MOS) с малой
величиной ёмкости затвора, измерение порогового напряжения затвора (ℎ) является более
сложным. Вы можете получить более точную величину этого напряжения, если подсоедините
конденсатор величиной в несколько , параллельного переходу затвор-исток. Пороговое на-
пряжение затвора будет измерено при токе приблизительно 3, 5  для P-E-MOS и 4  для
N-E-MOS. RDS или, правильнее, RDSon измеряется между затвором и истоком примерно до 5  ,
что, вероятно, не самое низкое значение.