Оперативная память ZENFAST DDR4 32ГБ 3200 МГц

Памяти много не бывает, подумал я и решил купить в добавок к имеющейся еще 64 ГБ ОЗУ. Было решено купить ее в Китае, и заодно узнать какое у нее качество.
Заказывал в магазине Joom.
В нем небольшой выбор DDR4 объёмом 32 ГБ/модуль и бюджетная память на текущий момент только ZENFAST.
Заказал 2 модуля DDR4 объёмом 32 ГБ каждый и частотой 3200 МГц с таймингами 22-22-22-52 и напряжением 1.2 вольт.

По прошествии некоторого времени посылка была доставлена. Память находилась в антистатическом пакете.
Фото коробки.
Внутри коробки модуль памяти располагается в прозрачном лотке.
Модуль с двух сторон.
Глядя на радиаторы создается впечатление что у китайцев не очень развита фантазия. Они огромные и выглядят непривлекательно! Размер нужно учитывать если система охлаждения перекрывает слоты памяти. Иначе радиаторы придется снимать что сделать не просто из-за очень крепкого и липкого жвачкоподобного клея. Снимать нужно аккуратно чтобы не повредить SMD компоненты на плате.
Фото без радиаторов.
Все микросхемы имеют маркировку D9XQF. Это Micron MT40A2G16SKL-062E:B.
Из особенностей можно назвать упаковку по 2 кристалла в корпусе (2 dies).
Таким образом при 8 микросхемах в модуле возможна организация 2 Rank 16 Banks. То есть типичная для модулей с 16 микросхемами (по 8 с каждой стороны). Формально в этих модулях тоже 16 микросхем, т. к. по 2 кристалла в каждом корпусе.
У этого решения есть свои преимущества. Меньше длина проводников на плате, а значит меньше потери на индуктивных и емкостных составляющих что положительно сказывается на стабильности работы и возможном разгонном потенциале.

CPU-Z
Thaiphoon
Aida64
Как обычно это бывает в китайской памяти, заполнены не все поля SPD, а только основные.
XMP нет, а модуль рассчитан на работу при напряжении 1.2 вольт до частоты 3200 МГц.

В первую очередь память была протестирована с настройками по умолчанию и таймингами 22-22-22-52.
Результат меня не впечатлил.
Поэтому следующим шагом был поход в BIOS и установка более адекватных таймингов 18-18-18-36 не меняя напряжения (по умолчанию 1.2 вольта).
Уже лучше. Скорость 46 ГБ/с и задержка 56 нс это неплохой результат. На этом этапе был запущен Memtest86+ на несколько часов. Ошибок не обнаружено. Во время тестирования память без радиаторов была едва теплой, а значит радиаторы ей не нужны и можно снимать при необходимости.
Теперь пришла очередь поднять напряжение. Увеличил до 1.27 вольт что позволило уменьшить тайминги до 16-18-18-36.
Результат стал немного лучше, но не то что хотелось, поэтому следующий этап — увеличение частоты.
Поднял до 3600 МГц и увеличил тайминги до 18-20-20-40. Напряжение оставил прежним — 1.27 вольт.
51 ГБ/с при задержке 53 нс это хороший результат для этой памяти.
Можно было бы еще поднять напряжение до 1.35 вольт или выше и увеличить частоту и/или уменьшить тайминги, но я это делать не стал. В даташите на микросхемы памяти указанно предельное напряжение 1.26 вольт.
Вероятно память будет долго и без деградации работать и при большем напряжении, но это не точно.

По результатам тестирования можно сказать что память работает стабильно (успешно проходит Memtest86+) и стоит потраченных денег. За несколько недель эксплуатации сбоев или ошибок не обнаружено.
С настройками по умолчанию у нее низкая производительность, где-то на уровне DDR4 с частотой 3000 МГц. Она поддается разгону без значительного повышения напряжения или вовсе его не требует. Для достижения частоты 3600 МГц при таймингах 18-20-20-40 потребовалось незначительное повышение напряжения до 1.27 вольт, что ниже классических 1.35 вольт.